國家重點研發計劃“超低功耗、高可靠和強實時微控制器芯片研發”項目實施方案論證會在南京召開
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作者:hzxingyuan
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發布時間: 1106天前
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8月23號，“光電子與微電子器件及集成”重點專項2018年立項項目“超低功耗、高可靠和強實時微控制器芯片研發”實施方案論證會在南京召開。項目牽頭單位東南大學及參與單位領導，項目負責人和骨干成員，項目咨詢專家，專項總體專家組責任專家以及專項辦相關成員約30人參加了會議。
東南大學副校長丁輝教授代表項目牽頭單位表示，將嚴格落實項目管理制度，推進項目順利實施，為十三五期間微電子領域項目全面啟動帶好頭。專項辦同志圍繞重點專項相關過程管理要求，以“學習貫徹‘放管服’改革精神，強化落實項目主體責任”為主題，介紹了重點專項總體情況、過程管理規范和流程、實施方案編制要求、管理經驗和項目實施中的常見問題等，要求各方高度重視、夯實責任，綜合統籌資源，高標準完成項目目標。
項目負責人東南大學楊軍教授從項目概要、研究內容及課題分解、具體實施計劃、組織管理機制、成果及測試方法等五個方面介紹了項目實施方案，特別圍繞項目實施期間即將完成的兩顆芯片，從十六個具體任務出發，針對技術途徑、交付物、考核指標、主要參與人、時間節點等方面，進行了詳細匯報。與會專家重點圍繞低功耗技術的實現瓶頸、項目實施期間可能出現的技術風險、項目如何管理等方面展開討論，并在技術路線、風險評估、項目組織管理和風險防控等方面提出了具體意見建議。
本項目重點研究面向物聯網極低功耗微控制器關鍵技術，包括寬電壓標準單元和片上存儲器設計技術、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術與自適應動態電壓和頻率調節技術、快速響應的寬負載高效率電源轉換技術、低功耗高精度模數轉換電路設計技術、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術；面向工業控制微控制器關鍵技術，包括高可靠處理器架構、低延時訪問存儲策略、納秒級中斷響應處理技術、容錯型自糾錯SRAM
設計技術、高精度時鐘基準電路設計技術。
